获取优惠价格
18790282122
高硅氧化铜矿除硅
干货废水除硅工艺介绍！北极星水处理网
一种水中二氧化硅去除方法与流程除硅技术优化研究及应用ppt新元科技：10倍空间，从0到1的光伏硅料回收王者 1金刚石线硅片切割废料再生制备高纯硅研究 百度学术光伏硅片切割废料制备高纯硅的研究《东北大学》2020年
工业硅炉外精炼提纯研究《昆明理工大学》2013年硕士论文
研究CaOSiO2CaF2渣系工业硅熔渣氧化精炼的除杂效果。单纯熔渣氧化精炼能够去除部分杂质Al、B、P等,对杂质Fe、Ca、Cu等的去除没有明显效果。 (3) 研究碱度对工业硅中 高硅白合金的浸出而言，破坏铁硅合金相与有价金 属之间的包裹是关键步骤。本文利用次氯酸根的氧 化性和氯离子的高电导性，采用硫酸氧化浸出的方 法来处理高 复杂高硅白合金硫酸氧化浸出工艺及 提铜的动力学研究
一种高硅氧化铜矿深度分离与富集铜的方法
23作为优选的技术方案，所述高硅氧化铜矿原料中高硅氧化铜矿含铜2～15％，硅孔雀石中铜占比大于60 ％。24作为优选的技术方案，所述步骤1)中粒径大 二氧化硅的去除 f 6 离子交换脱硅 将不同的离子交换床结合使用，不仅可以达到很好的软化和除盐效果，而且也可以深度 除硅，具有很高的处理深度。 在离子交换系统中，一级复 二氧化硅的去除百度文库
[失效分析与可靠性] 008 二氧化硅、氮化硅与纯硅如何去除
另外目前还有用HF配制的腐蚀剂来腐蚀氮化硅。HF 与乙二醇的混合液配制成的腐蚀剂， 在温度达到100度以上时，HF对氮化硅的腐蚀速率比二氧化硅要快，但选 综合来看，两个材料都很有前途。 就目前而言，硅氧负极比容量高，作为电池性能比较适中；但随着硅碳负极的研究深入，如果其循环寿命能达到1000圈，加上 硅碳vs硅氧，硅基负极哪个更有前途？ 中国粉体网
还原浸出—除杂—活性氧化镁沉淀工艺从刚果金某氧 化铜钴
石、假孔雀石和富铜钴硬锰矿，少量的黄铜矿和辉铜 矿，微量硅孔雀石、赤铜矿、铜蓝、硫砷铜矿和自然铜 等。含钴矿物主要为富铜钴硬锰矿及少量的水钴矿。除 干货废水除硅工艺介绍！混凝脱硅是利用某些金属的氧化物或氢氧化物对硅的吸附或凝聚来达到脱硅目的的一种物理化学方法。这是一种非深度脱硅干货废水除硅工艺介绍！北极星水处理网
废水除硅工艺介绍百度文库
③ 水温：提高水温可以加速除硅过程，并使除硅效果提高。40 ℃时出水中残留硅可达1 mg/L以下。 ④ 水在澄清器中的停留时间：水温为30 ℃时，实际停留时间应＞1 h，40 ℃时约为1 h，120 ℃时为20～30 min。 ⑤ 原水水质：原水的硬度大时对镁剂脱硅的效果有硅酸盐矿物的晶体结构中，最基本的结构单元是SiO络阴离子。 除硅灰石膏结构中 Si4+具有6次配位，SiO键长为178Å,形成SiO6配位八面体而属于六氧硅酸盐外，其他所有硅酸盐矿物都属于四氧硅酸盐。 硅酸盐矿物百度百科
硅片清洗知识总结 半导体化学清洗介绍 一硅片的化学清洗
传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC1→DHF→SC2 1SC1清洗去除颗粒： ⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。 ⑵去除颗粒的原理：硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜二氧化硅的去除 f 6 离子交换脱硅 将不同的离子交换床结合使用，不仅可以达到很好的软化和除盐效果，而且也可以深度 除硅，具有很高的处理深度。 在离子交换系统中，一级复床除盐出水二氧化硅含量可低于 05mg/L，再经混床处理， 出水的硅含量可以控制二氧化硅的去除百度文库
氧化铜矿的浮选矿物
氧化铜矿石可划分为如下七个类型﹕ ( 1)孔雀石型: 矿物以孔雀石为主, 其它含量较少, 属易选矿石, 可用硫化浮选法分选。 ( 2)硅孔雀石型: 矿物以硅孔雀石为主, 脉石为硅酸盐类, 矿石属难选型, 可用化学选矿法、离析浮选法处理。 ( 3)赤铜矿型: 以赤铜矿和石、假孔雀石和富铜钴硬锰矿，少量的黄铜矿和辉铜 矿，微量硅孔雀石、赤铜矿、铜蓝、硫砷铜矿和自然铜 等。含钴矿物主要为富铜钴硬锰矿及少量的水钴矿。除铜和钴矿物外，其他金属矿物主要是褐铁矿和黄铁 矿，微量的闪锌矿和方铅矿。2．2 药剂还原浸出—除杂—活性氧化镁沉淀工艺从刚果金某氧 化铜钴
硅碳vs硅氧，硅基负极哪个更有前途？ 中国粉体网
综合来看，两个材料都很有前途。 就目前而言，硅氧负极比容量高，作为电池性能比较适中；但随着硅碳负极的研究深入，如果其循环寿命能达到1000圈，加上首效强的优点，也会很有前景。 参考文献： 1、邱治文等，《Si基锂离子电池负极材料研究进展 浮选机处理氧化铜矿的方法，主要有以下几种：1硫化后黄药浮选法。 此法是将氧化矿物先用硫化钠或其他硫化剂进行硫化，然后用高级黄药作捕收剂进行浮选。 硫化时，矿浆的ph值愈低，硫化进行得愈快。 而硫化钠等硫化剂易于氧化，作用时间短，所以使用浮选机处理氧化铜矿石的六种方法百度文库
硅、氮化硅、二氧化硅 豆丁网
硅、氮化硅、二氧化硅doc 百科名片硅gu（台湾、香港称矽x）是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。 原子序数14，相对原子质量2809，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上IVA金属元素。 硅也是极为常见的一种元素，然而它极 ③ 水温：提高水温可以加速除硅过程，并使除硅效果提高。40 ℃时出水中残留硅可达1 mg/L以下。 ④ 水在澄清器中的停留时间：水温为30 ℃时，实际停留时间应＞1 h，40 ℃时约为1 h，120 ℃时为20～30 min。 ⑤ 原水水质：原水的硬度大时对镁剂脱硅的效果有废水除硅工艺介绍百度文库
硅酸盐矿物百度百科
硅酸盐矿物的晶体结构中，最基本的结构单元是SiO络阴离子。 除硅灰石膏结构中 Si4+具有6次配位，SiO键长为178Å,形成SiO6配位八面体而属于六氧硅酸盐外，其他所有硅酸盐矿物都属于四氧硅酸盐。 4 氧化铜矿石的选矿方法浸出沉淀浮选法（LPF 法）介绍： 此法适于处理硅孔雀石等难浮或选别指标很差的氧化铜矿。 因氧化铜矿物比较容易在酸中溶解， 将矿石磨到单体解离， 用浓度为 0 5 ～3%的稀硫酸浸出， 再用铁粉置换， 沉淀析出金属铜， 然后在 pH=3 74 5 的酸性介质中， 用双黄药或氧化铜矿石的选矿方法
为什么要对半导体硅进行表面氧化处理？
22 人 赞同了该回答 这问题有些宽泛了，不同的工艺、不同的器件上做表面氧化处理的目的也是不同的。 譬如需要沉积大应力薄膜（如氮化硅）之前，为避免产生过度翘曲甚至crack，需要先制作氧化硅做应力缓冲层； 譬如体硅工艺中将硅进行深刻 传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统清洗工序：SC1→DHF→SC2 1SC1清洗去除颗粒： ⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。 ⑵去除颗粒的原理：硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜硅片清洗知识总结 半导体化学清洗介绍 一硅片的化学清洗
二氧化硅的去除 豆丁网
石灰不仅有调节pH的功能，而且还可以除去部分二氧化硅、暂时硬度和二氧化混凝剂的用量：采用镁剂脱硅时，通常都加混凝剂。 适当的混凝剂可以改善氧化镁沉渣的性质，提高除硅效果。 一般所用的混凝剂为铁盐，其添加量为02～035mmol/L。 水温：提 最常见的氧化铜矿物是孔雀石和蓝铜矿，其次是硅孔雀石和赤铜矿，有时也会碰到铜的硫酸盐和其他可溶性盐类。 (一)孔雀石CuCO3Cu(OH)2 这种氧化铜矿物经过预先硫化后，可以采用浮选硫化矿的捕收剂(如黄药)进行浮选;不进行预先硫化，也可以用不低于5～6个碳的黄药在高用量下浮选。氧化铜矿基本矿物知识介绍矿道网
硅碳vs硅氧，硅基负极哪个更有前途？ 中国粉体网
综合来看，两个材料都很有前途。 就目前而言，硅氧负极比容量高，作为电池性能比较适中；但随着硅碳负极的研究深入，如果其循环寿命能达到1000圈，加上首效强的优点，也会很有前景。 参考文献： 1、邱治文等，《Si基锂离子电池负极材料研究进展 硅的热稳定性不错，有着致密、高介电常数的氧化物，可以轻易制备出界面缺陷极少的硅氧化硅界面。氧化硅不溶于水（氧化锗溶于水），也不溶于大多数的酸，这简直是和印刷电路板的腐蚀印刷技术一拍即合。结合的产物，就是延续至今的集成电路平面工艺。为什么用硅来制备半导体芯片？是什么奠定了硅的统治地位？
浮选机处理氧化铜矿石的六种方法百度文库
浮选机处理氧化铜矿的方法，主要有以下几种：1硫化后黄药浮选法。 此法是将氧化矿物先用硫化钠或其他硫化剂进行硫化，然后用高级黄药作捕收剂进行浮选。 硫化时，矿浆的ph值愈低，硫化进行得愈快。 而硫化钠等硫化剂易于氧化，作用时间短，所以使用
